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一种太赫兹波非互易放大器和太赫兹波的非互易调节方法 

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申请/专利权人:南京理工大学

摘要:本发明提出了一种太赫兹波非互易放大器和太赫兹波的非互易调节方法,放大器包括PT对称的多层膜结构和中心缺陷层结构S,多层膜结构包括至少两个Octonacci序列光子多层结构,两个Octonacci序列光子多层结构分别位于中心缺陷层结构S两侧,其中一个Octonacci序列光子多层结构包括膜结构A和膜结构B,另一个包括膜结构C和膜结构D,膜结构A为带有损耗的硅层,膜结构B为带有增益的二氧化硅层,膜结构C为带有增益的硅层,膜结构D为带有损耗的二氧化硅层,增益‑损耗因子q大于0。本发明不仅能实现对正向和反向入射的太赫兹波不同的增强反射和放大,还可以通过改变PT对称结构的增益‑损耗因子来调节放大效果,在太赫兹通信和传感等领域具有潜在应用前景。

主权项:1.一种太赫兹波非互易放大器,其特征在于,包括PT对称的多层膜结构和中心缺陷层结构S,所述多层膜结构包括至少两个Octonacci序列光子多层结构,两个Octonacci序列光子多层结构分别位于中心缺陷层结构S两侧,其中一个Octonacci序列光子多层结构包括膜结构A和膜结构B,另一个Octonacci序列光子多层结构包括膜结构C和膜结构D,所述膜结构A为带有损耗的硅层,所述带有损耗的硅层的折射率na=3.53+0.01qi,膜结构B为带有增益的二氧化硅层,所述带有增益的二氧化硅层的折射率nb=1.46-0.01qi,膜结构C为带有增益的硅层,所述带有增益的硅层的折射率nc=3.53-0.01qi,膜结构D为带有损耗的二氧化硅层,所述带有损耗的二氧化硅层的折射率nd=3.53+0.01qi,增益-损耗因子q大于0。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京理工大学 一种太赫兹波非互易放大器和太赫兹波的非互易调节方法

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