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申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
摘要：本申请描述了具有高面积效率的半导体器件。这种半导体器件200可以被安置于隔离结构245内，并且包括耦合到隔离结构245的二极管。以此方式，半导体器件利用否则可能被保留为非活性空间或死区的面积，以实现较小的占位面积。此外，半导体器件可以包括水平布置、垂直布置或两者的组合的多个指状掺杂区270，275。指状掺杂区形成使用金属线并联连接的二极管，这些金属线被平行放置以便于使大量的电流流过。具有减小长度的平行放置的金属线改善在ESD或电涌事件期间与金属线的寄生电阻相关联的问题。
主权项：1.一种半导体器件，其包括：第一二极管，其包括第一pn结，所述第一pn结横跨p型掺杂区和第一n阱，所述第一n阱包括所述p型掺杂区，其中所述第一n阱耦合到第一端子，并且所述p型掺杂区耦合到第二端子；以及第二二极管，其包括第二pn结，所述第二pn结横跨p阱和第二n阱，所述第二n阱与所述p阱相邻，其中所述p阱耦合到所述第一端子，并且所述第二n阱耦合到所述第二端子，并且其中所述第二n阱与围绕所述半导体器件的隔离结构的第三n阱交叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 具有高面积效率的半导体保护器件
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