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申请/专利权人：华南师范大学

摘要：本发明属于电子器件技术领域，公开了一种基于混维Sn‑CdS碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器的结构为电极Sn‑CdSMoTe2异质结电极；所述Sn‑CdSMoTe2异质结中Sn‑CdS为Sn掺杂CdS纳米线，MoTe2为纳米片；Sn‑CdSMoTe2异质结不与电极接触。该基于混维Sn‑CdSMoTe2异质结的光电探测器具有优越的吸光能力与载流子传输能力。该光电探测器在325～808nm波长内具有较高的响应率400～600mAW和探测率1012～1013Jones。本发明的工艺简单易操作，为基于混维半导体材料异质结的高性能光电探测器的研究提供了思路。

主权项：1.一种基于混维Sn-CdS碲化钼异质结的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器的结构为电极Sn-CdSMoTe2异质结电极；所述Sn-CdSMoTe2异质结中Sn-CdS为Sn掺杂CdS纳米线，MoTe2为纳米片；所述Sn掺杂CdS纳米线与MoTe2纳米片构建为垂直异质结，Sn-CdSMoTe2异质结不与电极接触；所述电极为TiAu，Ti的厚度为8~12nm，Au的厚度为45~55nm，所述Sn掺杂CdS纳米线中Sn掺杂量为1~3%，Sn掺杂CdS纳米线的长度为100~500µm，直径在1~5µm，所述MoTe2的厚度为10~30nm；所述光电探测器在325~808nm光波长内的响应率为400~600mAW，探测率为1012~1013Jones，在可见波长范围内的响应时间为8~15ms；所述的基于混维Sn-CdS碲化钼异质结的光电探测器的制备方法，包括如下具体步骤：S1.采用化学气相生长法得到的Sn掺杂CdS纳米线，将单根纳米线放到SiSiO2衬底的表面，并在80~100℃加热，使纳米线与衬底贴合，制得Sn掺杂CdS纳米线SiSiO2衬底；S2.采用机械剥离法剥离MoTe2晶体，在硅片衬底上得到MoTe2纳米片；S3.采用干法转移将MoTe2纳米片转移到步骤S1的Sn掺杂CdS纳米线上，得到Sn-CdSMoTe2异质结；S4.分别在MoTe2纳米片与Sn-CdS纳米线的边缘制作TiAu电极，在真空条件下150~200℃退火，制得电极Sn-CdSMoTe2异质结电极，即为基于混维Sn-CdSMoTe2异质结的光电探测器。

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