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申请/专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种在碳化硅衬底化学抛光后清洗的方法，该方通过法将磺酸微腐蚀、强碱腐蚀和电解清洗相结合，有效清除了碳化硅衬底上的黏附颗粒、有机物和金属污染物，特别是公认的难以清除的顽强氧化物，从而提高了碳化硅衬底的稳定性，为碳化硅衬底下一步工艺奠定了基础。
主权项：1.一种在碳化硅衬底化学抛光后清洗的方法，其特征在于，包括：使用酸性液体浸泡经化学抛光后的碳化硅衬底，浸泡的时间为10min以下，浸泡温度为20-70℃，并进行水洗；所述酸性液体包含磺酸盐类表面活性剂、助洗剂和水；所述助洗剂为磷酸三钠、三聚磷酸钠、碳酸钠和羟基甲基纤维素中的一种或多种；所述磺酸盐类表面活性剂、所述助洗剂和水的质量比为1:（1.5-5）:（8-12）；使用碱性液体浸泡所述碳化硅衬底，浸泡的时间为5min以下，浸泡温度为30-60℃，并进行水洗；将所述碳化硅衬底放入电解槽，使用电解液进行电解清洗，利用在电极溶液界面上进行的电化学反应，将黏附在所述碳化硅衬底上的金属污垢去除；以及将所述碳化硅衬底甩干；所述电解清洗采用的电流密度为5-15Am²；所述电解液的温度40-80℃；所述电解清洗的时间为5min以下。
全文数据：
权利要求：
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