龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：福建慧芯激光科技有限公司
摘要：本发明公开了一种单颗芯片剥离的组合反射镜式长波长VCSEL的制备方法，涉及半导体光电子技术领域，该制备方法包括如下步骤：1在InP衬底上生长外延层；2在外延层表面制作第一反射镜，并将外延层刻蚀成若干单颗独立的VCSEL芯片；3在第一反射镜表面粘合最终衬底，并选择性刻蚀各VCSEL芯片的牺牲层从而将VCSEL芯片从InP衬底剥离；4制作第二反射镜。本发明的制备方法能够大大减小衬底剥离难度和制程时间，实现了长波长VCSE所必需的InP衬底的回收利用，极大地降低了企业的生产成本，并为VCSEL上下两端设置组合反射镜提供了必要的技术支持。
主权项：1.一种单颗芯片剥离的组合反射镜式长波长VCSEL的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）在InP衬底上生长外延层，外延层包括InP第一缓冲层、牺牲层、InP第二缓冲层、第一N型掺杂DBR、有源区、隧穿结层和第二N型掺杂DBR；所述隧穿结层具有若干个相互间隔设置的掩埋隧穿结；所述牺牲层为AlAsInAlAsAlAsInAlAsAlAs超晶格结构，并且AlAs的厚度为1.5-2.1nm，InAlAs的厚度为1nm；所述第一N型掺杂DBR和第二N型掺杂DBR均是由InAlGaAsInP或者InGaAsPInP周期堆叠组成的反射镜，第一N型掺杂DBR的周期数和第二N型掺杂DBR的周期数均为5-20，厚度均为1000-5000nm；（2）在外延层表面制备若干个与各所述掩埋隧穿结相互对应的第一反射镜，并将外延层刻蚀成单颗独立的VCSEL芯片；第一反射镜为光栅层或者介质层DBR；（3）在各VCSEL芯片的第一反射镜表面粘合一片式的最终衬底，并使用HF溶液选择性刻蚀各VCSEL芯片的牺牲层，从而将InP衬底从各VCSEL芯片底部剥离；（4）在各VCSEL芯片的InP第二缓冲层表面制作第二反射镜；第二反射镜为光栅层或者介质层DBR。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建慧芯激光科技有限公司 一种单颗芯片剥离的组合反射镜式长波长VCSEL的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号