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申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司
摘要：本发明提供了一种用于在集成电路IC结构中制造薄膜电阻器TFR模块的方法，该方法可包括：在电介质区域中形成沟槽；在该沟槽中形成TFR元件，该TFR元件包括横向延伸的TFR区域和从横向延伸的TFR区域向上延伸的TFR脊；在所述TFR元件上方沉积至少一个金属层；以及图案化该至少一个金属层并且使用金属蚀刻来蚀刻该至少一个金属层以在该TFR元件上方限定一对金属TFR头部，其中该金属蚀刻还移除所述向上延伸的TFR脊的至少一部分。该方法也可包括形成至少一个导电TFR触点，该触点延伸穿过TFR元件并与相应TFR头部接触，从而增加相应TFR头部与TFR元件之间的导电路径。
主权项：1.一种用于在集成电路IC结构中制造薄膜电阻器TFR模块的方法，所述方法包括：在电介质区域中形成沟槽；在所述沟槽中形成TFR元件，所述TFR元件包括横向延伸的TFR区域和从横向延伸的TFR区域向上延伸的TFR脊；形成延伸穿过所述TFR元件的厚度的至少一个导电TFR触点；在所述TFR元件上方沉积至少一个金属层；图案化所述至少一个金属层并且使用金属蚀刻来蚀刻所述至少一个金属层以在所述TFR元件上方限定一对金属TFR头部，其中所述金属蚀刻还移除所述向上延伸的TFR脊的至少一部分，其中所述金属TFR头部中的第一金属TFR头部形成为与所述至少一个导电TFR触点中的导电TFR触点接触，从而经由所述导电TFR触点限定所述第一金属TFR头部与所述TFR元件之间的导电路径，并且其中形成所述至少一个导电TFR触点进一步包括：蚀刻延伸穿过所述TFR元件的横向边缘区域的至少一个TFR触点开口；以及用导电材料填充每个TFR触点开口以限定相应的导电TFR触点，所述导电TFR触点具有与所述TFR元件的至少一个侧表面接触的至少一个侧表面。
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权利要求：
百度查询： 微芯片技术股份有限公司 铝兼容薄膜电阻器(TFR)及其制造方法
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