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申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司
摘要：本发明属于碳化硅加工领域，提供了一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备及其工艺，包括U形架一，所述U形架一两侧内壁靠近上方的位置固定安装有倒置的U形架二，所述U形架一的两侧外壁上开有条形口，所述U形架二的底部外壁上水平安装有支撑板；石墨坩埚，所述支撑板顶部外壁中心的位置固定安装有电机一，所述电机一输出轴的顶端固定安装有轴杆固定座，所述石墨坩埚固定安装在轴杆固定座的表面；纵向调节机构，两个所述纵向调节机构分别安装在U形架二的两侧外壁靠近上方的位置，两个所述纵向调节机构的一端分别安装在支撑板的两端；本发明使得碳化硅晶体的长晶速度提高，更易于扩晶，缺陷密度低，进而使得碳化硅晶体的结晶质量提高。
主权项：1.一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，其特征在于，包括：U形架一1，所述U形架一1两侧内壁靠近上方的位置固定安装有倒置的U形架二14，所述U形架一1的两侧外壁上开有条形口2，所述U形架二14的底部外壁上水平安装有支撑板3；石墨坩埚12，所述支撑板3顶部外壁中心的位置固定安装有电机一4，所述电机一4输出轴的顶端固定安装有轴杆固定座13，所述石墨坩埚12固定安装在轴杆固定座13的表面；纵向调节机构5，两个所述纵向调节机构5分别安装在U形架二14的两侧外壁靠近上方的位置，两个所述纵向调节机构5的一端分别安装在支撑板3的两端；籽晶固定机构10，所述U形架二14顶部外壁的中心位置固定安装有电机二7，所述电机二7输出轴的底端固定有传动轴8，所述籽晶固定机构10安装在传动轴8的底端，所述籽晶固定机构10的底端位于石墨坩埚12内部的上方；保温机构9，所述保温机构9贴合安装在石墨坩埚12的圆周外壁上；加热机构6，所述加热机构6安装在U形架二14的一侧内壁上，所述加热机构6的加热部分位于保温机构9的外侧。
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权利要求：
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