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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种半导体衬底处理设备；半导体衬底处理设备包括反应腔室、前级管线、远程等离子体源发生装置和冷却装置，前级管线与反应腔室连接；远程等离子体源发生装置与前级管线连接；冷却装置设置于前级管线，用于冷却前级管线。本发明的半导体衬底处理设备能够改善用远程等离子体源对前级管线进行清洗而导致前级管线升温的问题，以延长使用寿命。
主权项：1.一种半导体衬底处理设备，其特征在于，包括：反应腔室；前级管线100，所述前级管线100与所述反应腔室连接；远程等离子体源发生装置200，所述远程等离子体源发生装置200与所述前级管线100连接；以及，冷却装置300，所述冷却装置300设置于所述前级管线100，用于冷却所述前级管线100。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 半导体衬底处理设备
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