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申请/专利权人：成都晶湛电子科技有限公司
摘要：一种多层栅结构FS‑IGBT，包括位于X型衬底上方的第一Y型掺杂区，以及位于第一Y型掺杂区上方的多晶硅层，所述第一Y型掺杂区侧面的第二沟槽内靠近第一Y型掺杂区的侧壁，以及第一Y型掺杂区顶部与多晶硅层之间设置有第一氧化层，位于第一Y型掺杂区侧面的第一氧化层外侧设置有氮化层，所述氮化层外侧设置有第二氧化层。本发明还公开了一种多层栅结构FS‑IGBT制造方法。本发明增加了栅极浮空区域与衬底间介质的厚度，有效降低米勒电容，降低器件开关损耗；并提升了栅极的耐压及可靠性；同时本发明与现有工艺兼容，可直接利用现有FS‑IGBT工艺生产。
主权项：1.一种多层栅结构FS-IGBT，其特征在于，包括位于X型衬底（1）上方的第一Y型掺杂区（2），以及位于第一Y型掺杂区上方的多晶硅层（7），其特征在于，所述第一Y型掺杂区（2）侧面的第二沟槽（6）内靠近第一Y型掺杂区（2）的侧壁，以及第一Y型掺杂区顶部与多晶硅层（7）之间设置有第一氧化层（20）；位于第一Y型掺杂区侧面的第一氧化层外侧设置有氮化层（21），所述氮化层（21）外侧设置有第二氧化层（22）；其中X型和Y型互不相同且分别为P型和N型中的任意一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都晶湛电子科技有限公司 一种多层栅结构FS-IGBT及其制造方法
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