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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明提供一种存储器装置，其包括基底、隧穿介电层、堆叠结构、字线结构、第一导电通孔以及第二导电通孔。基底包括阵列区以及邻接阵列区且在第一方向上彼此相对的第一连接区和第二连接区。隧穿介电层在基底的阵列区上。堆叠结构在隧穿介电层上且在第一方向上延伸。每个堆叠结构包括依序堆叠于隧穿介电层上的浮置栅极层、栅间介电层以及控制栅极层。字线结构在堆叠结构上且在第一方向上延伸。每个字线结构包括依序堆叠于控制栅极层上的过渡金属氧化物层、导体层以及顶盖层。第一导电通孔在第一连接区上且电连接至导体层。第二导电通孔在第二连接区上且电连接至控制栅极层。
主权项：1.一种存储器装置，包括：基底，包括阵列区以及邻接所述阵列区且在第一方向上彼此相对设置的第一连接区和第二连接区；隧穿介电层，设置在所述基底的所述阵列区上；多个堆叠结构，设置在所述隧穿介电层上且在所述第一方向上延伸并在不同于所述第一方向的第二方向上排列，其中所述堆叠结构中的每一者包括依序堆叠于所述隧穿介电层上的浮置栅极层、栅间介电层以及控制栅极层；多个字线结构，分别设置在多个所述堆叠结构上且在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上排列，其中所述字线结构中的每一者包括依序堆叠于所述控制栅极层上的过渡金属氧化物层、导体层以及顶盖层；多个第一导电通孔，设置在所述第一连接区上且电连接至多个所述导体层；以及多个第二导电通孔，设置在所述第二连接区上且电连接至多个所述控制栅极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 存储器装置
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