龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明提供一种硅晶圆离子注入掺杂标准片制备方法，具体步骤如下：S1对硅衬底注入目标元素离子得到硅晶圆片，对硅晶圆片进行退火，得到退火硅晶圆片；S2对退火硅晶圆片的注入剂量进行横向均匀性评价；S3对退火硅晶圆片采用扩展电阻测量仪进行注入剂量纵向分布评价，并利用硅晶圆片的剖面分析结果对注入剂量纵向分布评价进行补偿校正，得到映射注入剂量纵向分布评价；S4映射注入剂量纵向分布评价满足预设要求，且横向均匀性评价时退火硅晶圆片薄层电阻相对标准偏差小于1％，则该硅晶圆片作为标准片。本发明方法满足硅晶圆离子注入掺杂元素B、P、As标准片注入剂量横向均匀，且具有特定预设掺杂浓度和纵向深度分布的高准确性要求。
主权项：1.一种硅晶圆离子注入掺杂标准片制备方法，其特征在于，具体步骤如下：S1对硅衬底注入目标元素离子得到硅晶圆片，对硅晶圆片进行退火，得到退火硅晶圆片；S2对退火硅晶圆片的注入剂量进行横向均匀性评价；S3对退火硅晶圆片采用扩展电阻测量仪进行注入剂量纵向分布评价，并利用硅晶圆片的剖面分析结果对注入剂量纵向分布评价进行补偿校正，得到映射注入剂量纵向分布评价；S4映射注入剂量纵向分布评价满足预设要求，且横向均匀性评价时退火硅晶圆片薄层电阻相对标准偏差小于1％，则该硅晶圆片作为标准片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种硅晶圆离子注入掺杂标准片制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号