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申请/专利权人：同济大学
摘要：本发明涉及一种生长倍半氧化物晶体热场结构及导模法生长方法。该热场结构包括：内部形成有空腔的保温部；设置在所述保温部内并利用感应发热的发热部，所述发热部不与所述保温部空腔底部接触；安装在所述发热部内部并容纳晶体的容纳部，所述容纳部不与所述保温部空腔底部接触；以及围绕部分所述保温部设置的负载部。与现有技术相比，本发明既避免了氧化锆热场高温下使得发热体和坩埚材质熔化，又保证了生长的晶体透明，晶体内无挥发、气泡等散射缺陷。
主权项：1.一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，包括：内部形成有空腔的保温部1；设置在所述保温部1内并利用感应发热的发热部2，所述发热部2不与所述保温部1空腔底部接触；安装在所述发热部2内部并容纳晶体的容纳部3，所述容纳部3不与所述保温部1空腔底部接触；以及围绕部分所述保温部1设置的负载部7。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 同济大学 生长倍半氧化物晶体热场结构及导模法生长方法
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