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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心

摘要：本发明公开了一种高可靠性超级结MOSFET及其制造方法，该高可靠性超级结MOSFET包括第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区和第一导电类型的源区，第二导电类型的柱区、阱区和体区。于第一沟槽两侧形成第一导电类型的源区，于第二沟槽两侧形成第二导电类型的体区，于第二沟槽底部形成相连通的第三沟槽，于第三沟槽中形成第三导电体和第三介质。通过在第三沟槽中设置第三导电体和第三介质，将雪崩击穿位置限定在第三沟槽底角附近，使得雪崩电流从第二沟槽两侧流入源极，避免了寄生三极管的开启，从而显著改善了超级结MOSFET器件的雪崩耐量和可靠性。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。

主权项：1.高可靠性超级结MOSFET，其特征在于，包括，漏极；第一导电类型衬底，位于所述漏极之上；第一导电类型漂移区，位于所述第一导电类型衬底之上；第二导电类型柱区，位于所述第一导电类型衬底之上，与所述第一导电类型漂移区毗邻，包括第二导电类型第一柱区和第二导电类型第二柱区；第二导电类型第一柱区和第二导电类型第二柱区位于第一导电类型漂移区的两侧；第二导电类型阱区，位于所述第一导电类型漂移区和第二导电类型柱区之上；第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱区之中，包括第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区；第二导电类型体区，位于所述第二导电类型阱区之中，包括第二导电类型第一体区和第二导电类型第二体区；第二导电类型第一体区与第一导电类型第二源区邻接，交界面位于相邻第一导电类型漂移区之间的第二导电类型第一柱区之上；第一沟槽，贯穿所述第二导电类型阱区和第一导电类型源区，并延伸入第一导电类型漂移区；第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区分别位于第一沟槽的两侧；第一介质，位于所述第一沟槽的侧壁及底部；第一导电体，位于所述第一沟槽之中，为所述第一介质三面包围；第二沟槽，贯穿所述第二导电类型阱区和第二导电类型体区，并延伸入第一导电类型漂移区，第二导电类型第一体区和第二导电类型第二体区分别位于第二沟槽的两侧；第二介质，位于所述第二沟槽的侧壁和底部；第二导电体，位于所述第二沟槽之中，所述第二介质之间；第三沟槽，位于所述第二沟槽的底部，与第二沟槽相连通，第三沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度，二者之差为0.1µm~1.5µm，第三沟槽的深度范围为0.5µm~10.0µm；第三介质，位于所述第三沟槽的侧壁和底部，第三介质的厚度为50nm~500nm；第三导电体，位于所述第三沟槽之中，为所述第三介质三面包围，与所述第二导电体电气连接；隔离介质，位于所述第二导电类型阱区之上，完全覆盖第一导电体和第二导电体；源极，位于所述隔离介质的两侧及之上。

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