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申请/专利权人：华引芯(武汉)科技有限公司;华引芯(张家港)半导体有限公司
摘要：本申请提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，垂直结构LED芯片包括在第一方向上依次层叠设置的半导体外延结构、电流扩展层、电流阻挡层和P型电极层，半导体外延结构包括在第一方向上依次层叠设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，其中，电流扩展层包括多个第一通孔，第一通孔暴露P型半导体层；电流阻挡层包括多个第二通孔，多个第二通孔与多个第一通孔对应设置；P型电极层填充第二通孔和第一通孔，并分别与电流扩展层、P型半导体层相接触。本申请提供的垂直结构LED芯片中，具有多个第一通孔的图案化的电流扩展层和具有多个第二通孔的图案化的电流阻挡层相互配合，能够优化整体电流分布，改善电流密度分布集中的问题。
主权项：1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，所述垂直结构LED芯片包括在第一方向上依次层叠设置的半导体外延结构、电流扩展层、电流阻挡层和P型电极层，所述半导体外延结构包括在所述第一方向上依次层叠设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，其中，所述电流扩展层包括多个第一通孔，所述第一通孔暴露所述P型半导体层；所述电流阻挡层包括多个第二通孔，多个所述第二通孔与多个所述第一通孔对应设置；所述P型电极层填充所述第二通孔和所述第一通孔，并分别与所述电流扩展层、所述P型半导体层相接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华引芯(武汉)科技有限公司 华引芯(张家港)半导体有限公司 一种垂直结构LED芯片及其制备方法
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