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申请/专利权人：埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
摘要：本发明公开了一种用于分子束外延的源炉，包括MBE源提纯装置、离子减速腔、扩散腔和离子束中和部分，MBE源提纯装置用于对纯度为第一纯度的第一MBE源进行提纯，提纯为纯度为第二纯度的第二MBE源，第一纯度小于第二纯度；离子减速腔与MBE源提纯装置相连通，用于对第二MBE源进行减速到热原子平均速度；扩散腔与离子减速腔相连通，用于将减速后的第二MBE源扩散为均匀的圆锥体离子束；离子束中和部分用于使圆锥体离子束中和并沉积到导电衬底表面。本发明使用高纯固体单质提纯出超高纯度的MBE源，实时制备，降低了MBE源的使用成本，提高了MBE外延材料的质量，同时也解决了超高纯度固体源不易保存的问题。
主权项：1.一种用于分子束外延的源炉，其特征在于，所述源炉包括：MBE源提纯装置，用于对纯度为第一纯度的第一MBE源进行提纯，提纯为纯度为第二纯度的第二MBE源，所述第一纯度小于所述第二纯度，所述MBE源提纯装置具有用于将所述第二MBE源输出的MBE源出口；离子减速腔，与所述MBE源提纯装置的所述MBE源出口相连通，用于对所述第二MBE源进行减速到热原子平均速度；扩散腔，与所述离子减速腔相连通，用于将经所述离子减速腔减速后的所述第二MBE源扩散为均匀的圆锥体离子束；离子束中和部分，用于使所述圆锥体离子束中和并沉积到导电衬底表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司 一种用于分子束外延的源炉
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