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申请/专利权人：浙江伊控动力系统有限公司

摘要：本发明公开了一种基于整机测试波形校验IGBT模块损耗的方法，包括步骤S1：进行上桥IGBT的损耗计算，具体实施为：步骤S1.1：设整机运行时，通过示波器和温度采集设备采集某一相上桥IGBT的电压、电流以及对应的结温数据，并截取其中一部分数据，要求截取的数据包含且仅包含一个完整的电流正半周。本发明公开的一种基于整机测试波形校验IGBT模块损耗的方法，根据整机运行时采集到的电压电流波形以及结温数据，即可计算出IGBT模块的损耗，从而解决模块并联或单管并联时，以及在电流畸变较大时损耗计算误差较大，且损耗难以校验的问题，使得IGBT模块损耗的校验更为准确便捷。

主权项：1.一种基于整机测试波形校验IGBT模块损耗的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：进行上桥IGBT的损耗计算，具体实施为：步骤S1.1：设整机运行时，通过示波器和温度采集设备采集某一相上桥IGBT的电压、电流以及对应的结温数据，并截取其中一部分数据，要求截取的数据包含且仅包含一个完整的电流正半周，且截取的电流数据总长度小于一个完整电流基波周期T，设示波器的采样数据时间间隔为Δt，截取的上桥IGBT的电流、电压以及对应的结温数据分别为ik，vk和Tjk，k＝1,2,…,n；步骤S1.2：电流正半周数据精确提取：设母线电压为Vbus，电流ik和电压vk的零偏分别为IDev，VDev，则有： 零偏校准后，得到新的电流ik_Dev和电压vk_Dev为： 设ic_Sum为ik_Dev的累计积分，则： 其中，ic_Sum的最小值为ic_Sum_min，其对应的c＝a；ic_Sum的最大值为ic_Sum_max，其对应的c＝b，a和b满足1abn；若存在多个最小值点或最大值点，则a取第一个点，b取最后一个点；上桥IGBT仅在输出电流正半周时工作，则提取到的电流正半周时对应的上桥IGBT的电流、电压以及结温分别为im_Dev，vm_Dev和Tjm，m＝a,a+1,…,b-1,b；步骤S1.3：损耗计算区间判定：正常工作的IGBT有三种状态：导通状态、开关状态、截止状态；当IGBT工作在导通状态时，会产生导通损耗；当IGBT工作在开关状态时，会产生开关损耗；当IGBT为截止状态时，截止状态的损耗进行忽略，其中：设im_Dev的最大值为im_Dev_max，Ic_Low为判定IGBT截止状态的阈值电流，当im_DevIc_Low时，IGBT为截止状态；设Vce_Low为判定IGBT非导通状态的阈值电压，当vm_Dev≥Vce_Low时，IGBT为非导通状态，则IGBT导通状态下满足： IGBT开关状态下满足： 找到电流im_Dev和电压vm_Dev中满足IGBT导通状态下公式的所有点，对这些点重新排序，设对应的电流和结温分别为icond_Cal和Tjcond_Cal，cond_Cal＝1,2…,ncond，其中，ncondb-a，则icond_Cal和Tjcond_Cal为用于计算导通损耗的区间；同样，找到电流im_Dev和电压vm_Dev中满足IGBT开关状态下公式的所有点，对这些点重新排序，设对应的电流和电压为isw_Cal，vsw_Cal，sw_Cal＝1,2…,nsw，其中，nswb-a，则isw_Cal和vsw_Cal为用于计算开关损耗的区间；步骤S1.4：损耗计算：设该上桥IGBT在不同Tj下的VceIc曲线已标定好，则通过查表插值或公式拟合的方式，得到在电流icond_Cal和结温Tjcond_Cal下的IGBT导通压降为： IGBT的导通损耗为： IGBT的开关损耗为： IGBT的总损耗为：PIGBT＝Pcond+Psw；步骤S2：进行下桥IGBT的损耗计算；步骤S3：进行上桥Diode的损耗计算；步骤S4：进行下桥Diode的损耗计算。

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