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申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明属于电化学能源转换与存储电极材料技术领域，具体涉及一种制备过渡金属硫化物碳负载金属单原子超结构材料的方法是以常见的过渡金属无机盐和硫族源为原料，以常见的有机物为碳源，通过溶剂热法合成前驱体，再通过酰胺反应、金属离子诱导、煅烧得到人工调控、具有周期堆垛结构的过渡金属二硫化物碳负载过渡金属单原子超结构纳米片，该超结构纳米片具有独特的MS2C‑SAY界面，能够显著提高界面电子传输和离子扩散；此外，将MS2层与C‑SAY层交替堆垛，实现了MS2层与C‑SAY层100％的面接触，极大地提高了MS2的电化学稳定性和反应活性。
主权项：1.一种过渡金属二硫化物碳载金属单原子的超结构材料，其特征在于，所述超结构材料为超结构纳米片，所述超结构纳米片的表达式为MS2C-SAYSL，式中MS2为过渡金属二硫化物，C为碳，SAY为过渡金属单原子，SL为超结构；所述MS2C-SAY为MS2层与C-SAY层交替堆垛形成的周期性排列的超结构催化界面，其中，所述MS2层与C-SAY层100％的面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 制备过渡金属硫化物/碳负载金属单原子超结构材料的方法
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