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申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层。在所述导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠包括其间具有水平拉长的沟槽的横向间隔开的存储器块区。沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层。所述第一层的材料具有与所述第二层的成分不同的成分。所述第一层的最低者厚于其上方的所述第一层。所述第一层材料选择性地相对于所述第二层材料进行各向同性蚀刻以在所述第一层中形成空隙空间。传导材料沉积到所述沟槽中并沉积到所述第一层中的所述空隙空间中。所述传导材料填充在所述最低第一层上方的所述第一层中的所述空隙空间。所述传导材料不完全填充所述最低第一层中的所述空隙空间。从所述最低第一层蚀刻所述传导材料。在蚀刻所述传导材料之后，导电材料沉积到所述最低第一层的所述空隙空间中，并将所述沟道材料串中的个别者的所述沟道材料和所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。公开了额外实施例，包含独立于方法的结构。
主权项：1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：包括导体材料的导体层；各自在所述导体层上方包括竖直堆叠的间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，所述导电层的一者的传导材料抵靠所述导体层的所述导体材料，存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；居间材料，其处于相邻的所述存储器块之间且沿着相邻的所述存储器块，所述居间材料包括抵靠所述导体层的所述导体材料的绝缘材料；以及所述导电层的所述一者中的所述传导材料抵靠所述沟道材料串中的个别者的所述沟道材料的侧壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
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