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申请/专利权人：深圳市北高智电子有限公司
摘要：本发明公开一种新型三极管的电压控制导通方法，包括以下步骤：步骤S1：当栅极与集电极之间外加正向电压VGC时，在栅极与集电极的氧化层间形成电场，该电场吸引控制区中的自由电子聚集，并排斥控制区中的空穴；步骤S2：电压VGC逐渐增大，当电压VGC达到导通电压VT时，在集电区形成第一类型导电沟道；步骤S3：在集电区形成第一类型导电沟道后，若发射极与集电极之间存在驱动电压VCE，由于发射极电位高于栅极电位，则VCE＞VGC；步骤S4：集电区的第一类型导电沟道的自由电子向发射极移动，集电极和栅极的自由电子被吸附到发射极，从而形成电流ICE，实现三极管导通。本发明利用电压控制导通，不需要电流控制，保留了MOS管的电压控制导通特性，因此控制功耗小、开关频率高；同时保留了三极管的电流导通特性，导通功耗小，相比IGBT，实现结构简单，成本低；并且没有衬底，不会与发射极产生很大的耗尽层，因此导通电阻不会变大。
主权项：1.一种新型三极管的电压控制导通方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：当栅极与集电极之间外加正向电压VGC时，在栅极与集电极的氧化层间形成电场，该电场吸引控制区中的自由电子聚集，并排斥控制区中的空穴；步骤S2：电压VGC逐渐增大，当电压VGC达到导通电压VT时，在集电区形成第一类型导电沟道；步骤S3：在集电区形成第一类型导电沟道后，若发射极与集电极之间存在驱动电压VCE，由于发射极电位高于栅极电位，则VCE＞VGC；步骤S4：集电区的第一类型导电沟道的自由电子向发射极移动，集电极和栅极的自由电子被吸附到发射极，从而形成电流ICE，实现三极管导通。
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百度查询： 深圳市北高智电子有限公司 一种新型三极管的电压控制导通方法
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