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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种深沟槽隔离结构及制备方法，该制备方法包括如下步骤：提供一单晶衬底，在单晶衬底的工作表面依次形成氧化物层和氮化物层；在单晶衬底的工作表面形成多个第一沟槽，第一沟槽从氮化物层背离单晶衬底的表面延伸至单晶衬底内；在第一沟槽中填充隔离介质形成第一填充结构；去除氧化物层和氮化物层；在单晶衬底上形成第一外延生长层；在单晶衬底上形成多个第二沟槽，每一第二沟槽与一第一沟槽一一对应，所述第二沟槽在所述单晶衬底的垂直投影完全落入所述第一沟槽在所述单晶衬底的垂直投影，且所述第二沟槽延伸至所述第一填充结构。本发明的深沟槽隔离结构的制备方法实现合理范围内任意深宽比隔离技术，同时降低蚀刻及填充难度。
主权项：1.一种深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供一单晶衬底，在所述单晶衬底的工作表面依次形成氧化物层和氮化物层；在所述单晶衬底的工作表面形成多个第一沟槽，所述第一沟槽从所述氮化物层背离所述单晶衬底的表面延伸至所述单晶衬底内；在所述第一沟槽中填充隔离介质形成第一填充结构；去除所述氧化物层和所述氮化物层；在所述单晶衬底上形成第一外延生长层；在所述单晶衬底上形成多个第二沟槽，每一所述第二沟槽与一所述第一沟槽一一对应，所述第二沟槽在所述单晶衬底的垂直投影完全落入所述第一沟槽在所述单晶衬底的垂直投影，且所述第二沟槽延伸至所述第一填充结构。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 深沟槽隔离结构及制备方法
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