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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。
主权项：1.一种处理衬底的方法，该方法包括：对介电层上的掩模进行图案化，该介电层布置在该衬底上；在该介电层中蚀刻开口，该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动；以及通过用导电材料填充这些开口来形成触点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 用于半导体制造的蚀刻方法
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