龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法。本发明方法包括：对待电极化处理的铌酸锂型铁电单晶基片的两电极之间区域进行半导电化处理，形成低电阻层；与电极接触的铌酸锂型铁电区域晶相绝缘化处理，形成高电阻层；在外加电压作用下，大部分电压施加至与电极接触的高电阻层内，局部电场增强，远远大于电极间平均电场，导致与电极接触区域的电畴首先成核反转。以上成核电畴能够在退极化场驱动下自行长大，长穿电极之间低电阻或低电场铁电区域，从而实现电极间整个电畴反转，平均极化电场可降低10倍，大大减小了铁电器件的极化电压，减少器件在施加高电压极化时所发生的电击穿现象。
主权项：1.一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法，其特征在于，通过增强铁电畴成核区域的局部电场来降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化反转的平均电场，从而减小电畴的极化电压；具体步骤包括：（1）在两电极之间铌酸锂型铁电单晶区域经过半导电化处理形成低电阻层；（2）在铌酸锂型铁电体接触电极的区域形成高电阻层；以及（3）在铌酸锂型铁电体高电阻层接触区域形成第一电极和第二电极；其中，低电阻层厚度h1，高电阻层厚度h2，10cm≧h1≧1nm；10mm≧h2≧1nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号