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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种改善硅片边缘去除量的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过机械手抓取硅片放至测量台上。第二步：对硅片上的定位角进行寻边定心过程。第三步：定位角分三个角度进行加工，三个角度为上下抛31.5°、41°和平抛90°。第四步：定位角加工完成后，通过机械手移栽硅片到冲洗台上进行冲洗。第五步：硅片边缘分三个角度进行加工，三个角度为上下抛31.5°、41°和平抛90°。第六步：硅片边缘完成抛光后，机械手将加工好的硅片取回放入片盒。具有工艺便捷和运行稳定性好的优点。通过改善边缘去除量，让硅片获得更好的边缘状态。
主权项：1.一种改善硅片边缘去除量的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：通过机械手抓取硅片放至测量台上；第二步：对硅片上的定位角进行寻边定心过程；第三步：定位角分三个角度进行加工，三个角度为上下抛31.5°、41°和平抛90°；第四步：定位角加工完成后，通过机械手移栽硅片到冲洗台上进行冲洗；第五步：硅片边缘分三个角度进行加工，三个角度为上下抛31.5°、41°和平抛90°；第六步：硅片边缘完成抛光后，机械手将加工好的硅片取回放入片盒。
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权利要求：
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