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高亮度光源 

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申请/专利权人:昕诺飞控股有限公司

摘要:在实施例中,本发明提供了一种光生成系统1000,包括第一光生成设备100、第一发光材料210和第二发光材料220,其中:A第一光生成设备110被配置为生成第一设备光111,其中第一光生成设备110包括选自超发光二极管和激光器的组的第一光源10;B第一发光材料210包括线吸收器和线发射器发光材料,该线吸收器和线发射器发光材料在用第一设备光111激发时提供包括第一发光材料发射211,该第一发光材料发射包括第一波长λL,1处的线发射;C第二发光材料220包括宽带发射器发光材料,该宽带发射器发光材料在用第一设备光111激发时提供包括宽带发射的第二发光材料发射221,其中第二发光材料发射221具有第二质心波长λLC,2,其中|λL,1‑λLC,2|≤20nm;D第一光生成设备110被配置为用第一设备光111泵浦第一发光材料210和第二发光材料220中的一种或多种;并且E光生成系统1000被配置为生成系统光1001,该系统光包括第一发光材料发射211和第二发光材料发射221中的一项或多项。

主权项:1.一种光生成系统1000,包括第一光生成设备100、第一发光材料210和第二发光材料220,其中:所述第一光生成设备110被配置为生成第一设备光111,其中所述第一光生成设备110包括选自超发光二极管和激光器的组的第一光源10;所述第一发光材料210包括线吸收器和线发射器发光材料,所述线吸收器和线发射器发光材料在用所述第一设备光111激发时提供第一发光材料发射211,所述第一发光材料发射211包括第一波长λL,1处的线发射;所述第二发光材料220包括宽带发射器发光材料,所述宽带发射器发光材料在用所述第一设备光111激发时提供包括宽带发射的第二发光材料发射221,其中所述第二发光材料发射221具有第二质心波长λLC,2,其中|λL,1-λLC,2|≤20nm;所述第一光生成设备110被配置为用所述第一设备光111泵浦所述第一发光材料210和所述第二发光材料220中的一种或多种;并且所述光生成系统1000被配置为生成系统光1001,所述系统光包括所述第一发光材料发射211和所述第二发光材料发射221中的一项或多项。

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