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申请/专利权人：芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅外延设备及延长设备保养周期的方法，结合垂直热壁碳化硅外延炉中的顶部喷淋、侧壁吹扫以及底部、侧壁加热等结构，针对垂直热壁碳化硅外延炉内侧壁面的碳化硅沉积物清理的方法，该方法主要分为刻蚀和吹扫两个阶段，通过多次刻蚀和吹扫腔体侧壁，可以有效降低后续外延片表面掉落物缺陷数量，提高产品良率，可以延长腔体保养周期，提高生产效率。
主权项：1.一种延长碳化硅外延设备保养周期的方法，所述方法用于清理垂直腔体内石墨材质侧壁表面的碳化硅沉积物；设定所述碳化硅外延设备在进行外延生长工艺时：垂直腔体内通入氢气的流量为L1，垂直腔体内通入侧壁吹扫气的流量为L2，垂直腔体内温度为T，垂直腔体内压力为P；其特征在于,所述方法包括刻蚀阶段和吹扫阶段，所述刻蚀阶段包括：基于顶部喷淋组件向垂直腔体内通入第一预设流量的氢气，所述第一预设流量低于所述L1，基于加热装置加热，使垂直腔体内的温度升高至第一预设温度，所述第一预设温度高于所述T，将垂直腔体内的压力调整至第一预设压力，所述第一预设压力高于所述P，基于喷淋组件向垂直腔体内通入氯化氢气体，利用氢气和氯化氢气体的组合对所述侧壁表面的碳化硅沉积物进行刻蚀；所述吹扫阶段包括：基于喷淋组件向垂直腔体内通入第二预设流量的氢气，所述第二预设流量高于所述第一预设流量，且高于所述L1，基于侧壁吹扫组件向垂直腔体内通入第三预设流量的侧壁吹扫气，所述第三预设流量高于所述L2，将垂直腔体内温度调整至第二预设温度，所述第二预设温度低于所述第一预设温度，且低于所述T，将垂直腔体内压力调整至第二预设压力，所述第二预设压力低于所述第一预设压力，且低于所述P，利用氢气和侧壁吹扫气对垂直腔体内部进行吹扫，以清理所述侧壁表面的碳化硅沉积物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司 一种碳化硅外延设备及延长设备保养周期的方法
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