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申请/专利权人：扬州晶格半导体有限公司
摘要：本发明公开了半导体领域内的一种降低硅部件晶锭裂纹率的铸造方法及铸造炉。该铸造方法包括以下步骤：S1：在坩埚底部刷涂一层硅颗粒组成的硅颗粒形核层，并对坩埚内壁进行氮化硅涂层制备；S2：将多晶硅装填到坩埚中；S3：在铸造炉中通过定向凝固的方法生长成晶锭，依次进行加热、熔化、长晶、退火和冷却阶段；其中，在长晶阶段，炉内上部温度和下部温度分别控制，且温度差不超过200℃，在退火阶段，炉内上部温度和下部温度一致降低，当温度降低到750‑850℃时维持3.5‑4.5小时。该铸造方法，通过温度控制降低长晶阶段固液界面的温度梯度来降低内应力的产生，在退火阶段，保持高温从而消除其内应力，提高晶锭的质量和稳定性。
主权项：1.一种降低硅部件晶锭裂纹率的铸造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在坩埚底部刷涂一层由硅颗粒组成的硅颗粒形核层，并对坩埚内壁进行氮化硅涂层制备；S2：将改良西门子法或流化床法生产的多晶硅装填到制备好所述氮化硅涂层的所述坩埚中；S3：在铸造炉中通过定向凝固的方法生长成晶锭，依次进行加热、熔化、长晶、退火和冷却阶段，期间控制温度、进气流量、炉压和散热通道开度；其中，在所述长晶阶段，炉内上部温度和下部温度分别控制，且温度差不超过200℃，在所述退火阶段，炉内所述上部温度和所述下部温度一致降低，当温度降低到750-850℃时维持3.5-4.5小时。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州晶格半导体有限公司 一种降低硅部件晶锭裂纹率的铸造方法及铸造炉
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