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申请/专利权人：成都高投芯未半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种半导体器件制造方法及半导体器件，其中，该方法包括：将晶圆基座上的目标区域进行减薄，在目标区域上布设粘贴材料，将待制程晶圆附着至粘贴材料上，并对待制程晶圆进行制程，得到待用晶圆。本申请通过在目标区域布设粘贴材料，从而避免出现晶圆卷翘、晶圆形状及厚度发生变化等现象，以及破片等问题，并利用晶圆基座作为基础，对待制程晶圆进行制程，从而达到不需要引用适应待制程晶圆尺寸的晶圆线设备，也可以实现晶圆制造的效果，进而解决半导体器件制程与晶圆制造设备之间无法兼容的问题。
主权项：1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：将晶圆基座上的目标区域进行减薄；在所述目标区域上布设粘贴材料；将待制程晶圆附着至所述粘贴材料上，并对所述待制程晶圆进行制程，得到待用晶圆。
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百度查询： 成都高投芯未半导体有限公司 半导体器件制造方法及半导体器件
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