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申请/专利权人：广东工业大学
摘要：本发明涉及一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用。该光电导太赫兹光混频芯片，包括光电导有源区，所述光电导有源区从下到上包括衬底、半导体层、电极和増透层；所述电极为叉指金属光栅电极。本发明的光电导太赫兹光混频芯片通过激发高阶耦合等离激元效应，最大程度地提高半导体层的入射光吸收效率以及局域场增强效果。同时，场增强效果作用于叉指金属光栅电极，在叉指金属光栅电极下方的电场实现光场增强的效果，这将在叉指金属光栅电极下方产生更高密度的光生载流子，并且载流子在叉指金属光栅电极附近产生直接输运到叉指金属光栅电极，进一步增强载流子的输运。
主权项：1.一种光电导太赫兹光混频芯片，其特征在于，包括光电导有源区，所述光电导有源区从下到上包括衬底4、半导体层3、电极2和増透层1；所述电极2为叉指金属光栅电极；所述电极2与半导体层3的接触界面形成局域表面等离子体共振模式；所述电极2的下方激发多级次类FP模式。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东工业大学 一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用
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