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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种硅片及其加工方法。硅片加工方法，用于加工待处理的硅片，包括：对硅片进行减薄处理；将减薄处理后的硅片进行退火处理；将经过退火处理后的硅片进行边抛处理，退火时间t0，退火温度T0，满足：3.6℃minT0t05.6℃min。由于在CZ硅晶体从生长到冷却至室温的过程中，由于生长区温度高于成核区，生成的原生氧沉淀的量很少，绝大部分氧以间隙态存在。而在器件制备过程中，硅片会在各种不同的温度区间经历不同的时间，晶体中的间隙氧逐渐达到平衡状态,过饱和的间隙氧原子聚集形成氧沉淀。本申请提供的硅片的加工方法，通过将减薄处理后的硅片进行退火处理，可以提高硅片中体微缺陷的密度。
主权项：1.一种硅片的加工方法，其特征在于，用于加工待处理的硅片，所述加工方法包括：对所述硅片进行减薄处理；将减薄处理后的所述硅片进行退火处理；将经过退火处理后的所述硅片进行边抛处理；所述退火处理具有退火时间t0，所述退火处理具有退火温度T0，满足：3.6℃minT0t05.6℃min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种硅片及其加工方法
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