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申请/专利权人：公立大学法人大阪;国立大学法人京都大学
摘要：一种由GaN基半导体构成的发光元件的制造方法，包括：在衬底10上形成具有量子阱结构的发光层12的步骤；在发光层上形成由GaN构成的覆盖层13的步骤；以及在覆盖层上形成氧化膜14的步骤。氧化膜由能够扩散并侵入到Ga空穴中的元素的氧化物构成，该Ga空穴存在于由GaN构成的所述覆盖层内。
主权项：1.一种发光元件的制造方法，其为由GaN基半导体构成的发光元件的制造方法，其特征在于：所述发光元件的制造方法包括：在衬底上形成具有量子阱结构的发光层的步骤；在所述发光层上形成由GaN构成的覆盖层的步骤；以及在所述覆盖层上形成氧化膜的步骤，所述氧化膜由能够扩散并侵入Ga空穴中的元素的氧化物构成，该Ga空穴存在于由GaN构成的所述覆盖层内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 公立大学法人大阪 国立大学法人京都大学 发光元件的制造方法及发光元件
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