买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：无锡新洁能股份有限公司

摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率半导体器件，它包括栅极金属、源极金属、沟槽、屏蔽栅多晶硅、栅极多晶硅、屏蔽栅接触孔、栅极接触孔、漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、场氧层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、栅氧层、绝缘介质层、屏蔽栅总线金属与栅极总线金属；还包括屏蔽栅极电阻Rs，屏蔽栅极电阻Rs连接在屏蔽栅总线金属与源极金属之间。本发明能有效地防止屏蔽栅功率MOSFET的栅极电压、漏源电压、漏源电流在反向恢复过程中出现剧烈的震荡现象，而且屏蔽栅极电阻Rs越大，波形震荡越小。本发明的结构不影响器件的静态参数。

主权项：1.一种屏蔽栅功率半导体器件，包括栅极金属（1）、源极金属（2）、沟槽（3）、屏蔽栅多晶硅（4）、栅极多晶硅（5）、屏蔽栅接触孔（6）、栅极接触孔（7）、漏极金属（9）、第一导电类型衬底（10）、第一导电类型外延层（11）、场氧层（12）、第二导电类型体区（13）、第一导电类型源区（14）、栅氧层（15）、绝缘介质层（16）、屏蔽栅总线金属（17）与栅极总线金属（18）；其特征是：在漏极金属（9）上设置有第一导电类型衬底（10），在第一导电类型衬底（10）的上方设置有第一导电类型外延层（11），在第一导电类型外延层（11）的顶部设置有第二导电类型体区（13），在第二导电类型体区（13）的顶部设置有第一导电类型源区（14），在第一导电类型源区（14）的上方设置有绝缘介质层（16），在绝缘介质层（16）的上方设置有源极金属（2），源极金属（2）通过通孔与第二导电类型体区（13）以及第一导电类型源区（14）欧姆接触；沟槽（3）从第一导电类型源区（14）的上表面向下依次穿透第一导电类型源区（14）与第二导电类型体区（13）最后进入第一导电类型外延层（11）内，在沟槽（3）内的中心区填充有屏蔽栅多晶硅（4）以及位于屏蔽栅多晶硅（4）外圈的场氧层（12），在沟槽（3）内的上部、屏蔽栅多晶硅（4）的两侧设有栅极多晶硅（5），在栅极多晶硅（5）与屏蔽栅多晶硅（4）之间以及栅极多晶硅（5）与第二导电类型体区（13）、第一导电类型外延层（11）之间设有栅氧层（15），栅极多晶硅（5）通过栅氧层（15）与第二导电类型体区（13）、第一导电类型外延层（11）以及屏蔽栅多晶硅（4）绝缘；栅极多晶硅（5）在沟槽（3）的两端或中心处通过绝缘介质层（16）上的栅极接触孔（7）与栅极总线金属（18）电连接，栅极总线金属（18）与栅极金属（1）电连接；屏蔽栅多晶硅（4）在沟槽（3）的两端或中心处通过绝缘介质层（16）上的屏蔽栅接触孔（6）与屏蔽栅总线金属（17）电连接；还包括屏蔽栅极电阻Rs（8），屏蔽栅极电阻Rs（8）连接在屏蔽栅总线金属（17）与源极金属（2）之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡新洁能股份有限公司 屏蔽栅功率半导体器件