买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：中国科学技术大学

摘要：一种可扩展量子比特结构及制备方法，结构包括：基片100，其上形成有阵列排布的矩形槽102，矩形槽102两侧生长有定位型自组织锗硅纳米线103，定位型自组织锗硅纳米线103的位置及尺寸可控；源漏电极设于定位型自组织锗硅纳米线103的两端；源漏外围大电极300，连接源漏电极；绝缘层400，其形成在源漏外围大电极300上方，绝缘层400上形成有分立的电荷感应量子点顶层金属栅极401与被探测量子点顶层金属栅极402；顶层外围大电极500，连接顶层金属栅极。该量子比特结构的空穴量子自旋比特拥有更长的相干时间，有利于量子比特结构的扩展，且测量方式属于非破坏性测量，灵敏度高。

主权项：1.一种可扩展量子比特结构，其特征在于，包括：基片（100），其上形成有阵列排布的矩形槽（102），所述矩形槽（102）两侧生长有定位型自组织锗硅纳米线（103），所述定位型自组织锗硅纳米线（103）的位置及尺寸可控；电荷感应量子点源极（301）及电荷感应量子点漏极（302），其分别设于一所述定位型自组织锗硅纳米线（103）的两端；被探测量子点源极（303）及被探测量子点漏极（304），其分别设于与该定位型自组织锗硅纳米线（103）相邻的定位型锗硅纳米线（103）两端；源漏外围大电极300，与电荷感应量子点源极（301）、电荷感应量子点漏极（302）、被探测量子点源极（303）及被探测量子点漏极（304）一一对应，分别与电荷感应量子点源极（301）、电荷感应量子点漏极（302）、被探测量子点源极（303）及被探测量子点漏极（304）的尖端相连；绝缘层（400），其形成在所述源漏外围大电极（300）上方，所述绝缘层（400）上形成有分立的电荷感应量子点顶层金属栅极（401）与被探测量子点顶层金属栅极（402），所述电荷感应量子点顶层金属栅极（401）设于所述电荷感应量子点源极（301）与所述电荷感应量子点漏极（302）之间，所述被探测量子点顶层金属栅极（402）设于被探测量子点源极（303）及被探测量子点漏极（304）之间；顶层外围大电极（500），连接所述电荷感应量子点顶层金属栅极（401）及所述被探测量子点顶层金属栅极（402）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 可扩展量子比特结构及其制备方法