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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明公开了一种采用栅调制石墨烯半导体肖特基结的光电探测器及制备方法，包括衬底，所述衬底上设置半导体层，半导体层上设置绝缘层，绝缘层及部分半导体层上设置石墨烯层，透明钝化层及压电栅极层设置在石墨烯层上，栅极顶部电极设置在压电栅极层上，第二金属电极与半导体层形成肖特基接触，第一金属电极与石墨烯层形成欧姆接触。本发明结构简单，可靠性高，制作工艺对核心结构的影响较小，可以调控器件光响应，制备出高响应度低暗电流的光电探测器。
主权项：1.一种采用栅调制石墨烯半导体肖特基结的光电探测器，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设置半导体层，半导体层上设置绝缘层，绝缘层及部分半导体层上设置石墨烯层，透明钝化层及压电栅极层设置在石墨烯层上，栅极顶部电极设置在压电栅极层上，第二金属电极与半导体层形成肖特基接触，第一金属电极与石墨烯层形成欧姆接触；所述半导体层为本征的AlN、GaN、InN、InxGa1-xN、ZnO、GaAs、MoS2、Si、Ge、SixGe1-x、InP、GaP、InxAl1-xN、AlInGaP或AlInGaAs中的一种以上材料的组合；所述压电栅极层为压电材料；在石墨烯层上蒸镀一层栅极压电材料，形成压电栅极层，石墨烯层和半导体层的三明治结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种采用栅调制石墨烯/半导体肖特基结的光电探测器及制备方法
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