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申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
主权项：1.一种芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片，所述换热肋片之间的区域为流道；将第一光刻胶涂布于所述流道内；通过物理气相沉积在所述流道内及所述换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于所述流道内的所述第一光刻胶与所述第一金属层，留下位于所述换热肋片顶部的所述第一金属层；在所述晶圆的第二表面生长形成电子线路，所述第一表面与所述第二表面相互背离；在所述晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待所述聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将所述晶圆放入第一溶液中进行电镀处理，使得多孔金属结构覆盖所述换热肋片且位于所述流道上方的所述微球模板的间隙之间；将所述晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除所述微球模板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构
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