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申请/专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
摘要：本发明提供了一种减少内应力的晶圆切割方法，所述方法包括以下步骤：1提供晶圆并将晶圆划分为若干区域，形成若干区域之间的虚拟分界线；2沿所述虚拟分界线在所述晶圆背面开槽形成槽，槽的深度为晶圆厚度的10％‑15％；3在所述晶圆背面包括槽侧壁和槽底的位置贴保护层；4沿所述虚拟分界线从晶圆正面进行第一次切割，切割的深度为晶圆厚度的40％‑50％；5去除晶圆背面的保护层；6沿所述虚拟分界线从晶圆正面或者晶圆背面进行第二次切割，切割的深度使晶圆中的若干区域沿虚拟分界线分离。本发明方法减少了切割边界崩坏的比例，减少了切割过程由于内应力而产生的变性，使得形成的半导体成品率提高。
主权项：1.一种减少内应力的晶圆切割方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1提供晶圆并将晶圆划分为若干区域，形成若干区域之间的虚拟分界线；其中所述晶圆的厚度为1.2mm；2沿所述虚拟分界线在所述晶圆背面开槽形成槽，槽的深度为晶圆厚度的12％-13％；3在所述晶圆背面包括槽侧壁和槽底的位置贴保护层；4沿所述虚拟分界线从晶圆正面进行第一次切割，切割的深度为晶圆厚度的40％-50％；5去除晶圆背面的保护层；6沿所述虚拟分界线从晶圆正面或者晶圆背面进行第二次切割，切割的深度使晶圆中的若干区域沿虚拟分界线分离。
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百度查询： 东莞新科技术研究开发有限公司 一种减少内应力的晶圆切割方法
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