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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在制造半导体器件的方法中，其中第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的上部鳍结构形成在下部鳍结构上方，牺牲栅极结构形成在上部鳍结构上方，蚀刻上部鳍结构的未被牺牲栅极结构覆盖的源极漏极区域，从而形成源极漏极空间，穿过源极漏极空间横向蚀刻第一半导体层，在每个蚀刻的第一半导体层的端部上形成由介电材料制成的内部间隔件，以及在源极漏极空间中形成源极漏极外延层以覆盖内部间隔件。在蚀刻源极漏极区域时，还蚀刻下部鳍结构的一部分以形成凹槽，其中暴露111表面。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在下部鳍结构上方形成其中第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的上部鳍结构；在所述上部鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻所述上部鳍结构的未被所述牺牲栅极结构覆盖的源极漏极区域，从而形成源极漏极空间；穿过所述源极漏极空间横向蚀刻所述第一半导体层；在每个蚀刻的第一半导体层的端部上形成由介电材料制成的内部间隔件；以及在所述源极漏极空间中形成源极漏极外延层以覆盖所述内部间隔件，其中，在蚀刻所述源极漏极区域时，还蚀刻所述下部鳍结构的一部分以形成凹槽，在所述凹槽中暴露111表面，其中，形成所述源极漏极外延层包括：执行氢处理；形成第一外延层；和在所述第一外延层上形成第二外延层，其中，形成所述第一外延层的工艺温度高于所述氢处理的工艺温度，并且形成所述第二外延层的工艺温度低于形成所述第一外延层的工艺温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法和半导体器件
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