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一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件 

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申请/专利权人:西安隆基乐叶光伏科技有限公司

摘要:本发明提供了一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件,涉及太阳能电池技术领域。HBC太阳能电池包括:硅基底、均位于硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层以及用于保护绝缘层的绝缘保护层;第二传输层在硅基底的背光面上的第一投影,与第一传输层在硅基底的背光面上的第二投影,具有重叠区域和非重叠区域;绝缘层和绝缘保护层均位于第一传输层和第二传输之间,且完全覆盖重叠区域;绝缘保护层与绝缘层紧邻分布,且绝缘保护层位于绝缘层远离硅基底的一侧;在相同的刻蚀条件下,绝缘保护层的刻蚀速率,小于绝缘层的刻蚀速率。绝缘保护层的刻蚀速率均较慢,绝缘保护层会对绝缘层起到良好的保护作用,可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能。

主权项:1.一种HBC太阳能电池,其特征在于,包括:硅基底、均位于所述硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、第一背面钝化层、第二背面钝化层、绝缘层以及用于保护所述绝缘层的绝缘保护层;所述第一传输层和所述第二传输层的掺杂类型不同;所述第二传输层在所述硅基底的背光面上的第一投影,与所述第一传输层在所述硅基底的背光面上的第二投影,具有重叠区域和非重叠区域;所述绝缘层、所述绝缘保护层、第二背面钝化层均位于所述第一传输层和第二传输之间,且完全覆盖所述重叠区域;所述绝缘保护层与所述绝缘层紧邻分布,且所述绝缘保护层位于所述绝缘层远离所述硅基底的一侧;所述第二背面钝化层与所述绝缘保护层紧邻分布,且所述第二背面钝化层位于所述绝缘保护层远离所述硅基底的一侧;在相同的刻蚀条件下,所述绝缘保护层的刻蚀速率,小于所述绝缘层的刻蚀速率。

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