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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
摘要：本发明提供了一种套刻误差的补偿方法，包括：S1：使用第一曝光机对第一层图形进行曝光；S2：使用第二曝光机依次对第二层图形至第N层图形进行曝光，第二层图形至第N层图形依次叠在第一层图形上；S3：依次获取第二层图形至第N层图形的套刻误差，并将第二层图形至第N层图形的套刻误差的平均值反馈给第一曝光机，第一曝光机根据平均值调整第一层图形的关键尺寸，其中，N为大于2的正整数；S4：重复步骤S1～步骤S3。通过将叠在第一层图形上的第二层图形至第N层图形的套刻精度的平均值反馈给第一曝光机，在下一个产品曝光时，第一曝光机根据平均值对第一层图形的关键尺寸进行调整，从而减少第二层图形至第N层图形的套刻误差。
主权项：1.一种套刻误差的补偿方法，其特征在于，包括：S1：使用第一曝光机对第一层图形进行曝光；S2：使用第二曝光机依次对第二层图形至第N层图形进行曝光，所述第二层图形至第N层图形依次叠在所述第一层图形上；S3：依次获取第二层图形至第N层图形的套刻误差，并将第二层图形至第N层图形的套刻误差的平均值反馈给所述第一曝光机，在下一个产品曝光时，所述第一曝光机根据所述平均值调整第一层图形的关键尺寸，其中，N为大于2的正整数；以及S4：重复步骤S1～步骤S3，直到所有产品完成曝光。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 套刻误差的补偿方法
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