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申请/专利权人：浙江大华技术股份有限公司
摘要：本申请提出一种银纳米线触控电极单元及其制备方法、触控面板。所述制备方法包括：在聚二甲基硅氧烷表面制备疏水层，将所述疏水层进行刻蚀，得到刻蚀阵列；在所述疏水层表面制备亲水层；将所述聚二甲基硅氧烷安装到基板表面，以使所述亲水层与所述基板表面结合；剥离所述聚二甲基硅氧烷，在所述基板表面的疏水层加入银前驱体反应溶液，得到纳米银阵列；在所述纳米银阵列表面溅射巯基硅氧烷，得到纳米银触控电极。通过上述制备方法，亲疏水沟道的构建，制备得到无刻蚀触控阵列，减少了断差，同时疏水层作为保护层和介质层，整体提高银纳米线触控电极单元的隔水汽性能。
主权项：1.一种银纳米线触控电极单元的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在聚二甲基硅氧烷表面制备疏水层，将所述疏水层进行刻蚀，得到刻蚀阵列；在所述疏水层表面制备亲水层；将所述聚二甲基硅氧烷安装到基板表面，以使所述亲水层与所述基板表面结合；剥离所述聚二甲基硅氧烷，在所述基板表面的疏水层加入银前驱体反应溶液，得到纳米银阵列；在所述纳米银阵列表面溅射巯基硅氧烷，得到纳米银触控电极；所述在所述疏水层表面制备亲水层包括：采用等离子处理所述疏水层，在所述疏水层表面以及沟道沉积一层巯十二烷基三乙氧基硅烷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大华技术股份有限公司 一种银纳米线触控电极单元及其制备方法、触控面板
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