龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了存储器件、垂直NAND闪速存储器件及固态硬盘。一种非易失性存储器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括页面缓冲区域、存储单元阵列、位线、第一垂直导电路径和第二垂直导电路径。所述存储单元阵列形成在所述半导体衬底上方的存储单元区域中，并且包括存储单元。所述位线在所述存储单元阵列上方沿列方向延伸。每一条位线被切割成一个第一位线段和一个第二位线段。所述第一垂直导电路径沿垂直方向延伸并且穿透所述存储单元区域的列方向中心区域。所述第一垂直导电路径连接所述第一位线段和所述页面缓冲区域。所述第二垂直导电路径沿所述垂直方向延伸并且穿透所述列方向中心区域。所述第二垂直导电路径连接所述第二位线段和所述页面缓冲区域。
主权项：1.一种存储器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括页面缓冲区域；存储单元阵列，所述存储单元阵列形成在所述半导体衬底上方的存储单元区域中，并且包括多个存储单元；多条位线，所述多条位线在所述存储单元阵列上方沿列方向延伸，所述列方向平行于所述半导体衬底的上表面，所述多条位线中的每一条位线被切割成多个第一位线段中的一个第一位线段和多个第二位线段中的一个第二位线段；多个第一垂直导电路径，所述多个第一垂直导电路径沿垂直方向延伸并且穿透所述存储单元区域的列方向中心区域，所述垂直方向垂直于所述半导体衬底的所述上表面，并且所述多个第一垂直导电路径连接所述多个第一位线段和所述页面缓冲区域；以及多个第二垂直导电路径，所述多个第二垂直导电路径沿所述垂直方向延伸并且穿透所述列方向中心区域，并且所述多个第二垂直导电路径连接所述多个第二位线段和所述页面缓冲区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 存储器件、垂直NAND闪速存储器件及固态硬盘
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号