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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明的实施例公开了一种结构，包括：衬底、在衬底上方的隔离结构、自该衬底延伸并邻近该隔离结构的鳍、在该鳍上方的两个源极漏极SD部件、悬在该衬底上方并连接该SD部件的沟道层、环绕该堆叠件中每一沟道层的第一栅极结构、设置在该第一栅极结构的处于该堆叠件外表面上的两个相对侧壁上的两个外部间隔件、设置在该SD部件和该沟道层之间的内部间隔件和在该隔离结构上方并直接连接该栅极结构一端的栅极端介电部件。该栅极端介电部件包含介电常数高于该外部间隔件和该内部间隔件中所包含材料的介电常数的第一材料。本发明的实施例还公开了一种形成半导体结构的方法。
主权项：1.一种半导体结构，包括：衬底；隔离结构，位于所述衬底上方；半导体鳍，自所述衬底延伸并且邻近所述隔离结构；两个源极漏极部件，位于所述半导体鳍上方；沟道层的堆叠件，悬在所述半导体鳍上方并且连接所述源极漏极部件；栅极结构，环绕所述沟道层的堆叠件中的每个所述沟道层；两个外部间隔件，设置在所述栅极结构的两个相对侧壁上；内部间隔件，设置在所述源极漏极部件之间和所述沟道层之间；介电鳍，设置在所述隔离结构上方并且与所述半导体鳍纵向平行取向，其中，所述介电鳍直接接触所述栅极结构的端的下部；以及栅极端介电部件，位于所述介电鳍上方，并且直接连接所述栅极结构的所述端，其中，所述栅极端介电部件中所包含材料的介电常数高于所述外部间隔件和所述内部间隔件中所包含材料的介电常数；其中，所述外部间隔件的部分还设置在所述介电鳍的上方和所述栅极端介电部件的下方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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