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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本文公开了提供用于将多栅极器件的栅极彼此隔离的介电栅极隔离鳍的自对准栅极切割技术。示例性器件包括第一多栅极器件和第二多栅极器件，第一多栅极器件具有第一源极漏极部件和围绕第一沟道层的第一金属栅极，第二多栅极器件具有第二源极漏极部件和围绕第二沟道层的第二金属栅极。介电栅极隔离鳍将第一金属栅极和第二金属栅极分离。介电栅极隔离鳍包括具有第一介电常数的第一介电层和设置在第一介电层上方的具有第二介电常数的第二介电层。第二介电常数大于第一介电常数。第一金属栅极和第二金属栅极分别与第一沟道层和介电栅极隔离鳍以及第二沟道层和介电栅极隔离鳍物理接触。本申请的实施例还涉及多栅极器件及其形成方法。
主权项：1.一种多栅极器件，包括：第一多栅极器件，具有：第一沟道层，设置在第一源极漏极部件之间，和第一金属栅极，围绕所述第一沟道层；第二多栅极器件，具有：第二沟道层，设置在第二源极漏极部件之间，和第二金属栅极，围绕所述第二沟道层；介电栅极隔离鳍，设置在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间并且将所述第一金属栅极和所述第二金属栅极分离，其中，所述介电栅极隔离鳍包括：第一介电层，具有第一介电常数，和第二介电层，具有第二介电常数并且设置在所述第一介电层上方，其中，所述第二介电常数大于所述第一介电常数；栅极间隔件，沿着所述第一金属栅极的第一侧壁和所述第二金属栅极的第二侧壁设置；以及其中：所述第一多栅极器件还包括设置在所述第一沟道层和所述介电栅极隔离鳍之间的所述栅极间隔件下方的第一内部间隔件以及设置在所述栅极间隔件下方的第一介电衬垫，其中每个所述第一介电衬垫均设置在所述第一沟道层和相应的一个所述第一内部间隔件之间并且与所述第一沟道层和相应的一个所述第一内部间隔件物理接触；以及所述第一金属栅极设置在所述第一沟道层和所述介电栅极隔离鳍之间并且与所述第一沟道层和所述介电栅极隔离鳍物理接触，并且所述第二金属栅极设置在所述第二沟道层和所述介电栅极隔离鳍之间并且与所述第二沟道层和所述介电栅极隔离鳍物理接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 多栅极器件及其形成方法
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