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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供等离子体处理装置。处理室在内部设置有用于载置基片的载置台，在其中实施对基片的等离子体处理。排气口设置在载置台的周围的、比载置台的载置基片的载置面低的位置，对处理室内进行排气。多个挡板由导电性材料形成，分别与接地电位连接，设置在排气向排气口的流动通路上比排气口靠上游侧处，从载置台的侧面侧和处理室的侧面侧交替地伸出，该伸出的前端部分隔开间隔地重叠。本发明能够抑制不稳定的放电。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，其在内部设置有用于载置基片的载置台，在其中实施对基片的等离子体处理；导电性的覆盖部，其覆盖所述载置台的侧面直至所述载置台的上端，与接地电位电连接；排气口，其设置在所述载置台的周围的、比所述载置台的载置基片的载置面低的位置，对所述处理室内进行排气；和多个挡板，其由导电性材料形成，分别与接地电位连接，设置在排气向所述排气口的流动通路上比所述排气口靠上游侧处，从所述载置台的侧面侧和所述处理室的侧面侧交替地伸出，该伸出的前端部分隔开间隔地重叠而形成S字状地弯曲的排气路径，所述多个挡板设置在所述载置台的周围的整周，所述多个挡板之中最上部的挡板从所述载置台的侧面侧伸出，所述多个挡板之中从所述载置台的侧面侧伸出的挡板设置在所述覆盖部，经所述覆盖部接地，所述载置台沿载置所述基片的载置面的外缘设置有突出的突出部，所述最上部的挡板的从根端至前端部分的长度比从所述突出部的上端至所述最上部的挡板的高度大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
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