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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：一种包含多个存储层的存储器件包括：第一存储层至第n存储层，其分别与第一行线至第n行线耦接，所述第一行线至第n行线在与衬底的表面垂直的竖直方向上层叠在衬底上方，n为正整数；第一连接结构，其在竖直方向上从衬底延伸以耦接到第一行线；偶数编号的连接结构，其在竖直方向上从衬底延伸并且分别耦接到第二行线至第n行线之中的偶数编号的行线的端部；以及奇数编号的连接结构，其在竖直方向上从衬底延伸并且分别耦接到第二行线至第n行线之中的奇数编号的行线的端部。偶数编号的连接结构与奇数编号的连接结构利用第一行线和第一连接结构而被间隔开，第一行线和第一连接结构介于偶数编号的连接结构与奇数编号的连接结构之间。
主权项：1.一种存储器件，包括：衬底，所述衬底包括彼此分隔开的第一区域至第n区域；第一存储层至第n存储层，其分别与第一行线至第n行线耦接，所述第一行线至第n行线在与所述衬底的表面垂直的竖直方向上层叠在所述衬底上，n为正整数；第一连接结构，其在所述竖直方向上从所述衬底延伸，以耦接到所述第一行线；偶数编号的连接结构，其在所述竖直方向上从所述衬底的第二至第n区域当中的偶数编号的区域延伸，并且分别耦接到第二行线至第n行线之中的偶数编号的行线的端部；以及奇数编号的连接结构，其在所述竖直方向上从所述衬底的第二至第n区域当中的奇数编号的区域延伸，并且分别耦接到所述第二行线至第n行线之中的奇数编号的行线的端部，其中，所述偶数编号的连接结构与所述奇数编号的连接结构利用所述第一行线和所述第一连接结构而被间隔开，所述第一行线和所述第一连接结构介于所述偶数编号的连接结构与所述奇数编号的连接结构之间。
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权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 包含多个存储层的存储器件
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