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申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种晶硅电池的制备方法，该制备方法包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，半导体基底具有相背的正面以及背面；对掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，掩膜图案露出部分隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被掩膜图案遮挡的隧穿钝化层，以露出部分半导体基底，并利用刻蚀液对露出的半导体基底进行抛光；在半导体基底的背面形成保护层，保护层覆盖掩膜图案以及露出的半导体基底；在半导体基底的正面进行制绒；去除保护层，并在半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，第一电极穿过钝化层与半导体基底接触，第二电极穿过钝化层与隧穿钝化层接触。
主权项：1.一种晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，所述半导体基底具有相背的正面以及背面；对所述掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，所述掩膜图案露出部分所述隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被所述掩膜图案遮挡的所述隧穿钝化层，以露出部分所述半导体基底，并利用所述刻蚀液对露出的所述半导体基底进行抛光；在所述半导体基底的背面形成保护层，所述保护层覆盖所述掩膜图案以及露出的所述半导体基底；在所述半导体基底的正面进行制绒；去除所述保护层，并在所述半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在所述半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述钝化层与所述半导体基底接触，所述第二电极穿过所述钝化层与所述隧穿钝化层接触。
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权利要求：
百度查询： 隆基绿能科技股份有限公司 晶硅电池的制备方法
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