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申请/专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
摘要：本发明公开的改善电化学刻蚀均匀性装置，包括顶端开口的工艺容器，工艺容器顶端架设有一底部向下伸入于工艺容器内的容置槽，容置槽的底端开设有刻蚀口，容置槽内底端位于刻蚀口外设置有导电金属圈，导电金属圈上同轴设置有用于放置目标刻蚀晶圆的导电密封圈，目标刻蚀晶圆上方设置有顶块，顶块边缘开设有上下贯通的通孔，通孔内设置有下端伸出并抵至导电金属圈上的导电伸缩探针，导电伸缩探针上端伸出并连接有位于顶块上的正电极金属块，工艺容器内底部设置有负电极金属块。本发明在目标刻蚀晶圆上与导电密封圈接触的环形区域形成均匀的电流分布，提高了有效刻蚀面积，从而改善了现有电化学刻蚀技术均匀性较差的问题。
主权项：1.改善电化学刻蚀均匀性装置，其特征在于，包括顶端开口的工艺容器（1），工艺容器（1）顶端架设有一底部向下伸入于工艺容器（1）内的容置槽（2），容置槽（2）的底端开设有刻蚀口（3），容置槽（2）内底端位于刻蚀口（3）外设置有导电金属圈（4），导电金属圈（4）上同轴设置有用于放置目标刻蚀晶圆（5）的导电密封圈（6），刻蚀口（3）边缘设置有向上延伸至导电密封圈（6）的围堰（13），容置槽（2）内底端位于目标刻蚀晶圆（5）外设置有挡台（14），导电密封圈（6）和导电金属圈（4）均位于挡台（14）靠近刻蚀口（3）一侧，目标刻蚀晶圆（5）上方设置有顶块（7），顶块（7）边缘开设有上下贯通的通孔，通孔内设置有下端伸出并抵至导电金属圈（4）上的导电伸缩探针（8），导电金属圈（4）的外侧一处向外穿出挡台（14）并延伸至导电伸缩探针（8）的底端下方，导电伸缩探针（8）上端伸出并连接有位于顶块（7）上的正电极金属块（9），工艺容器（1）内底部设置有负电极金属块（10）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 改善电化学刻蚀均匀性装置
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