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申请/专利权人：深圳市思坦科技有限公司
摘要：本公开提供了一种红光微型LED芯片制备方法、红光微型LED芯片及显示装置。该方法包括：提供红光微型LED外延片；从欧姆接触层开始对外延片进行刻蚀直至暴露出P型窗口层，得到台面结构阵列；对暴露表面进行掺杂，形成掺杂后表面；在掺杂后表面上设置阳极金属层；在台面结构的欧姆接触层上设置阴极金属层；在阳极金属层上设置增高金属层，得到中间结构；在中间结构上设置钝化层并在钝化层上开设第一接触孔和第二接触孔，以使第一接触孔暴露出部分增高金属层，第二接触孔暴露出部分阴极金属层；在部分增高金属层和部分阴极金属层上设置金属盘，得到红光微型LED芯片。
主权项：1.一种红光微型LED芯片制备方法，其中，所述方法包括：提供第一红光微型LED外延片，所述第一红光微型LED外延片自下而上依次包括第一衬底、键合层、P型窗口层、过渡层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型窗口层和欧姆接触层；从所述欧姆接触层开始对所述第一红光微型LED外延片进行刻蚀直至暴露出所述P型窗口层，得到台面结构阵列；对所述P型窗口层的暴露的表面进行碳掺杂，形成掺杂后表面；在所述掺杂后表面上设置阳极金属层；在所述台面结构阵列的每个台面结构的欧姆接触层上设置阴极金属层；在所述阳极金属层上设置增高金属层，得到微型LED中间结构，所述增高金属层用于对阳极金属层进行增高，使得阳极与阴极处于近似相同的水平高度；在所述微型LED中间结构上设置钝化层并在所述钝化层上开设第一接触孔和第二接触孔，以使所述第一接触孔暴露出部分增高金属层，所述第二接触孔暴露出部分阴极金属层；在暴露出的所述部分增高金属层和所述部分阴极金属层上设置金属盘，得到红光微型LED芯片。
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