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申请/专利权人：赛灵思公司
摘要：本公开的示例提供了用于堆叠管芯结构的功率门控。在一些示例中，堆叠管芯结构包括第一管芯10110和键合到第一管芯10110的第二管芯30130。在一些示例中，功率门控功率路径是从管芯10，30之间的键合界面穿过第二管芯30中的TSV36、第二管芯30中的功率门控器件38S和第二管芯30中的金属化层34的布线46‑1到第二管芯30中的电路区域40‑1。在一些示例中，功率门控功率路径包括功率门控器件118S，该功率门控器件118S在第一管芯110的功率门控区域118中并且被配置为中断通过功率门控功率路径到第二管芯130中的电路区域142的电流的流动。
主权项：1.一种半导体装置，包括：堆叠管芯结构，包括：第一管芯，包括第一半导体衬底，所述第一半导体衬底包括第一功率门控区域；第二管芯，键合到所述第一管芯，所述第二管芯包括第二半导体衬底，所述第二半导体衬底包括第一电路区域和第二功率门控区域；以及第三管芯，键合到所述第二管芯，所述第三管芯包括第三半导体衬底，所述第三半导体衬底包括第二电路区域；以及其中：所述堆叠管芯结构包括被配置为向所述第一电路区域提供功率的第一功率门控功率路径；所述第一功率门控功率路径包括第一功率门控器件，所述第一功率门控器件在所述第一半导体衬底的所述第一功率门控区域中，并且被配置为中断通过所述第一功率门控功率路径的电流的流动；所述堆叠管芯结构包括被配置为向所述第二电路区域提供功率的第二功率门控功率路径；以及所述第二功率门控功率路径包括第二功率门控器件，所述第二功率门控器件在所述第二半导体衬底的所述第二功率门控区域中，并且被配置为中断通过所述第二功率门控功率路径的电流的流动。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 赛灵思公司 堆叠管芯结构中的功率门控
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