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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体元件包括一基板、基板上方的第一半导体元件及基板上方的第二半导体元件。一半导体元件的第一源极漏极磊晶结构中的每一者包括一第一磊晶层及第一磊晶层上方的一第二磊晶层，且第二磊晶层的一底表面低于第一半导体层中的一最底第一半导体层。第一半导体层的一数目小于第二半导体层的一数目，第二半导体元件第二源极漏极磊晶结构中的每一者包括一第三磊晶层及第三磊晶层上方的一第四磊晶层，且第四磊晶层的一底表面低于第二半导体层中的一最底第二半导体层。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；该基板上方的一第一半导体元件；包含：在该基板上方配置于彼此上方的多个第一半导体层；环绕所述多个第一半导体层中每一者的一第一栅极结构；及该第一栅极结构的相对侧上的多个第一源极漏极磊晶结构，其中所述多个第一源极漏极磊晶结构中的每一者包含一第一磊晶层及该第一磊晶层上方的一第二磊晶层，且该第二磊晶层的一底表面低于所述多个第一半导体层中的一最底第一半导体层；该基板上方的一第二半导体元件；包含：该基板上方配置于彼此上方的多个第二半导体层，其中所述多个第一半导体层的一数目小于所述多个第二半导体层的一数目；环绕所述多个第二半导体层中每一者的一第二栅极结构；以及该第二栅极结构的相对侧上的多个第二源极漏极磊晶结构，其中所述多个第二源极漏极磊晶结构中的每一者包含一第三磊晶层及该第三磊晶层上方的一第四磊晶层，且该第四磊晶层的一底表面低于所述多个第二半导体层中的一最底第二半导体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体元件
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