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申请/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
摘要：本申请提出了一种键合结构，该键合结构包括第一焊盘，第一焊盘包括一第一表面；第一介电层，设置成封装第一焊盘，第一介电层包括一第一上表面，通过第一上表面暴露出第一焊盘的第一表面；接合层，设置于第一焊盘的第一表面上并接触第一介电层的第一上表面。本申请通过喷涂的方式形成接合层，可以减少接合层的溢流，从而解决因横向刮胶导致金属料膏残留在焊盘之间形成桥接的问题。并且，采用该种对接方式，产品设计局限性小，无需限制焊盘的表面平整度，因为在实现对接后，除原本的焊盘之外，接合处也均为铜的界面，无焊盘偏移或接合失败的风险。
主权项：1.一种键合结构，其特征在于，包括：第一焊盘，所述第一焊盘包括一第一表面；第一介电层，设置成封装所述第一焊盘，所述第一介电层包括一第一上表面，通过所述第一上表面暴露出所述第一焊盘的所述第一表面；接合层，设置于所述第一焊盘的所述第一表面上并接触所述第一介电层的所述第一上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月光半导体制造股份有限公司 键合结构
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